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3月15日，“高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會(huì)”順利召開(kāi)，由中國(guó)科學(xué)院院士甘子釗領(lǐng)銜的專家委員會(huì)對(duì)項(xiàng)目展開(kāi)全面評(píng)估，并一致認(rèn)為該技術(shù)填補(bǔ)了我國(guó)在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項(xiàng)空白，綜合性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

本次鑒定會(huì)由中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)主持、寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司（由寧夏盈谷實(shí)業(yè)股份有限公司、江西聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)技術(shù)有限公司（下稱“聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)”）等多家企業(yè)和自然人聯(lián)合投資設(shè)立）牽頭組織。作為聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)在超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化布局的重要一環(huán)，該公司依托聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)在高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)落地的深度融合。

 

高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備、技術(shù)及應(yīng)用首次將高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長(zhǎng)，針對(duì)高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，研制出高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備，形成了大尺寸硅單晶長(zhǎng)棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長(zhǎng)工藝，實(shí)現(xiàn)了大尺寸(12吋以上)高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn)，經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益十分顯著。高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在 5ppma以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，目前已拉出直徑達(dá)340mm的高品質(zhì)硅棒。

甘子釗院士在會(huì)議中指出：“這是國(guó)際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長(zhǎng)，為高溫超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化做了很多開(kāi)創(chuàng)性的工作，開(kāi)辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新賽道。”他特別提到，該技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)具有戰(zhàn)略意義。

專家委員會(huì)認(rèn)為該項(xiàng)目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長(zhǎng)爐高溫度均勻性節(jié)能型熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、模塊化大尺寸傳導(dǎo)冷卻高溫超導(dǎo)磁體設(shè)計(jì)、電﹣磁﹣熱﹣流體多場(chǎng)耦合下硅單晶生長(zhǎng)分析與控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，取得了多項(xiàng)創(chuàng)新性技術(shù)成果，研制出的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備在生產(chǎn)實(shí)踐中得到了應(yīng)用，表明該項(xiàng)目總體技術(shù)水平已達(dá)國(guó)際領(lǐng)先。

在未來(lái)，聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)將持續(xù)豐富高溫超導(dǎo)技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用場(chǎng)景，打造基于高溫超導(dǎo)應(yīng)用技術(shù)的產(chǎn)業(yè)鏈，致力于成為全球高溫超導(dǎo)應(yīng)用技術(shù)引領(lǐng)者，為各行業(yè)注入全新動(dòng)能，為實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)出力。